J. Phys. France 44, 553-558 (1983)
DOI: 10.1051/jphys:01983004404055300

Schottky diodes as a possible supplementary method for ionic transport investigations in semiconducting ionic solids - application to n-CdF2

R.J. Iwanowski^{1, 2}, A. Lemanska-Bajorek¹ et J.M. Langer<sup>1

1</sup>  Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland
²  Present address : Department of Chemistry, Wayne State University, Detroit, Michigan 48202, USA.

Abstract
Transport measurements, including I-V and C-V characteristics, of the Au/n-CdF2 : (Y, Mn) diodes have been performed at room temperature. Time changes of the net donor concentration profiles, N efD(W(V)), for the diodes biased with constant reverse voltage (V_) as well as for V _ = 0 are studied and interpreted using a model of the native point defect structure for the case of n-CdF2 : Y. The results obtained show the possibility of observation of ionic transport in the depletion layer of MS junction for which the conditions of large barrier height and relatively small activation energy of the defect motion are fulfilled.

Résumé
On présente des mesures de transport comprenant les caractéristiques I(V) et C(V) de diodes Au/n-CdF2 : (Y, Mn) obtenues à température ambiante. On étudie les variations dans le temps des profils de concentration en donneurs NefD(W(V)) pour des diodes polarisées par une tension inverse constante (V_) et pour V_ = 0; dans le cas de n-CdF2 : Y, les résultats sont interprétés au moyen de la structure du défaut ponctuel concerné. Ils montrent que le transport ionique dans la couche appauvrie d'une jonction métal-semiconducteur peut être étudié par cette méthode si la hauteur de la barrière est grande et si l'énergie d'activation du défaut est relativement faible.

PACS
6630H - Self-diffusion and ionic conduction in nonmetals.

Key words
cadmium compounds -- ionic conduction in solids -- Schottky effect -- semiconductor materials