J. Phys. France 39, 1287-1297 (1978)
DOI: 10.1051/jphys:0197800390120128700

Influence de la température sur la trace latente formée par les ions lourds de haute énergie dans le mica muscovite

E. Dartyge

Laboratoire de Physique des Solides Université Paris-Sud, Bâtiment 510, 91405 Orsay, France

Abstract
The structure of the defects which comprise the latent track of heavy ions in muscovite mica is studied, using small angle scattering of X-rays. The scattered intensity versus angle is analysed by means of Guinier or Porod's plots. It is concluded that the defects, which are spherical, are inhomogeneous. The hypothesis of a Gaussian shape for the electronic density profile of the defects fits the results well. During annealing the external part of the defects disappear at low temperature (300 °C), the centre of the defects is suppressed at higher temperatures. The temperatures of complete recovery depend on the sizes of the defects.

Résumé
La structure interne des défauts d'irradiation qui composent la trace latente d'ions lourds dans le mica muscovite est examinée en utilisant des résultats de mesure de diffusion des rayons X aux petits angles analysés par la loi de Guinier et la loi de Porod. On en conclut que les défauts sphériques ont une structure interne inhomogène, un profil Gaussien de densité électronique qui s'accorde bien avec les courbes de diffusion observées. Au cours des recuits thermiques, les défauts ponctuels et les bords du défaut sont recuits à basse température (300 °C), le centre est guéri pour des températures plus élevées variables avec la taille des défauts.

PACS
6172 - Defects and impurities in crystals; microstructure.
6180J - Ion radiation effects.

Key words
annealing -- crystal defects -- ion beam effects -- mica -- recovery -- X ray diffraction examination of materials