| Numéro |
J. Phys. France
Volume 39, Numéro 1, janvier 1978
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| Page(s) | 57 - 67 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:0197800390105700 | |
J. Phys. France 39, 57-67 (1978)
DOI: 10.1051/jphys:0197800390105700
Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure (*), 24, rue Lhomond, 75231 Paris Cedex 05, France and Université Paris VII, 2, place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects.
7220H - High-field and nonlinear effects.
7210 - Theory of electronic transport; scattering mechanisms.
Key words
high field effects -- impurity electron states -- magnetoresistance -- semiconductors
DOI: 10.1051/jphys:0197800390105700
Bound states and high field longitudinal magnetoresistance in semiconductors
G. Bastard et C. LewinerGroupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure (*), 24, rue Lhomond, 75231 Paris Cedex 05, France and Université Paris VII, 2, place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France
Abstract
The longitudinal magnetoresistance is calculated in the quantum limit in the case of a point like interaction between electrons and donors. We account for the influence of the bound states on σzz The position and width of donor states are derived, and the effects of collision broadening are discussed.
Résumé
Nous calculons la magnétorésistance en régime quantique lorsque les électrons interagissent avec des centres donneurs par un potentiel de contact. L'influence des états liés sur σ zz est prise en compte. Les positions et largeurs des états localisés sont discutées ainsi que les effets d'élargissement par collisions multiples.
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects.
7220H - High-field and nonlinear effects.
7210 - Theory of electronic transport; scattering mechanisms.
Key words
high field effects -- impurity electron states -- magnetoresistance -- semiconductors