Structure électronique des surfaces (110) des semiconducteurs de type zinc-blende par une méthode de liaisons fortes

Abstract
The electronic structure of the (110) surface of zinc-blende crystals is studied in a simple tight-binding model. By comparison with the results obtained by the Green's function method it is shown that a good approximation to the bound states energy levels can be obtained by diagonalizing the hamiltonian in a few planes near the surface. This process, owing to its simplicity, can easily be extended to more realistic models including further interactions and self-consistency effects. Finally it is shown that, in this model, the results can be interpreted in terms of Phillips' ionicity.

Résumé
On étudie dans un modèle simple de liaisons fortes la structure électronique des surfaces (110) des cristaux du type de la blende. Comparant avec les résultats obtenus par la méthode des fonctions de Green, on montre qu'il est possible de déterminer de façon satisfaisante les énergies des états liés en diagonalisant l'hamiltonien dans les plans les plus voisins de la surface. Ce procédé, par sa simplicité, semble susceptible d'extension à des modèles plus élaborés, incluant des interactions plus lointaines ainsi que les effets de self-consistence. On montre enfin que dans le modèle utilisé, les résultats peuvent s'interpréter simplement en fonction de l'ionicité de Phillips.