| Numéro |
J. Phys. France
Volume 30, Numéro 1, janvier 1969
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| Page(s) | 97 - 102 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:0196900300109700 | |
J. Phys. France 30, 97-102 (1969)
DOI: 10.1051/jphys:0196900300109700
Laboratoire de Magnétisme et de Physique des Solides, C.N.R.S., 92-Meudon-Bellevue
7340L - Other semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping.
Key words
semiconductor junctions -- semiconductor materials
DOI: 10.1051/jphys:0196900300109700
Mécanisme de génération-recombinaison dans les jonctions p-n de tellurure de cadmium
R. Lançon et Y. MarfaingLaboratoire de Magnétisme et de Physique des Solides, C.N.R.S., 92-Meudon-Bellevue
Abstract
A generation-recombination mechanism takes place in the space-charge region of CdTe p-n junctions. Measurements of electrical characteristics at different temperatures show that this phenomenon is due to the presence of a doubly-ionizable defect : the cadmium vacancy.
Résumé
Des jonctions p-n de CdTe sont le siège d'un mécanisme de génération-recombinaison dans la zone de charge d'espace. Des mesures de caractéristiques électriques à différentes températures ont montré que ce phénomène est dû à la présence d'un défaut doublement ionisable : la lacune de cadmium.
7340L - Other semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping.
Key words
semiconductor junctions -- semiconductor materials