J. Phys. France 30, 87-92 (1969)
DOI: 10.1051/jphys:0196900300108700

L'effet de dislocations sur les propriétés électriques de l'antimoniure d'indium

U. Baitinger, D. Schnepf et J. Arndt

Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart, Allemagne

Abstract
Single crystals of n-type InSb have been bent plastically to introduce a defined dislocation density. Hall coefficient and electrical conductivity measurements have been carried out for several samples in the range T = 50, ... , 200 °K. The application of Broudy's model, which explains the electrical properties of dislocations in germanium, to these measurements shows, that diffuse scattering of carriers at dislocations has a predominant importance, whereby the energy level influence of the dislocation acceptors decreases in comparison with the processes in germanium.

Résumé
Des monocristaux de InSb du type n ont été fléchis plastiquement pour introduire une densité définie de dislocations. Le coefficient de Hall et la conductibilité électrique de différents échantillons ont été mesurés en fonction de la température dans la gamme T = 50, ..., 200 °K. L'application du modèle de Broudy, qui interprète les propriétés électriques de dislocations dans le germanium, aux mesures effectuées montre que la dispersion diffuse des porteurs aux dislocations est d'une importance décisive, tandis que l'influence du niveau d'énergie des accepteurs de dislocation diminue en comparaison des processus dans le germanium.

PACS
7220F - Low-field transport and mobility; piezoresistance.
7210F - Scattering by point defects, dislocations, surfaces, and other imperfections (including Kondo effect).
6172H - Indirect evidence of dislocations and other defects (resistivity, slip, creep, strains, internal friction, EPR, NMR, etc.).

Key words
dislocations -- electrical conductivity -- electrical conductivity of solids -- Hall effect -- III V semiconductors -- semiconductor defects