Numéro |
J. Phys. France
Volume 29, Numéro 4, avril 1968
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Page(s) | 352 - 356 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:01968002904035201 |
DOI: 10.1051/jphys:01968002904035201
Résistivité à basse température des alliages GeTe-MnTe
J.E. Lewis et M. RodotLaboratoire de Magnétisme et Physique du Solide, C.N.R.S., 92-Meudon-Bellevue
Abstract
Single phase polycrystalline samples of the magnetic semiconductor alloys Ge1-xMnx Te have been studied. Their resistivity and Hall constant have been measured, in particular for the alloys 0.01 < x < 0.10, in the temperature interval 4.2-400 °K. It is shown that there is an important contribution to the resistivities due to s-d scattering, the normal s-s scattering closely following Nordheim's law. The excess resistivity due to s-d scattermg, which exists at all temperatures, is found to be proportional to the square of the Mn content of the alloys. These results are in close agreement with the theories of Mott [15] which were first proposed for the Ag-Pd system.
Résumé
On a étudié des échantillons monophasés polycristallins d'alliages semiconducteurs magnétiques Ge 1-xMnxTe. On a mesuré leur résistivité et leur constante de Hall, en particulier pour 0,01 < x < 0,10, dans l'intervalle de température 4,2-400 °K. On montre qu'une importante contribution à la résistivité due à la diffusion s-d s'ajoute à la diffusion normale s-s qui suit la loi de Nordheim. La contribution due à la diffusion s-d, qui existe à toute température, est trouvée proportionnelle à x2. Ces résultats sont en accord avec les théories proposées par Mott [15] pour les alliages Ag-Pd.
7280J - Other crystalline inorganic semiconductors.
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects.
Key words
semiconductor materials -- Hall effect -- germanium compounds -- electrical conductivity