Numéro
J. Phys. France
Volume 25, Numéro 12, décembre 1964
Page(s) 993 - 998
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:019640025012099300
J. Phys. France 25, 993-998 (1964)
DOI: 10.1051/jphys:019640025012099300

Influence des caractéristiques du plasma initiateur sur la formation des couches minces d'oxydes de cuivre dans la pulvérisation cathodique réactive

G. Perny et B. Laville-Saint-Martin

Laboratoire de Physico-Chimie des Couches Minces de Mulhouse


Abstract
Thin layers of copper oxides are prepared by condensation on fused quartz in a weakly ionized argon-oxygen plasma, of products initiated by cathode sputtering. The influence of discharge potential, and characteristics of the plasma, upon the nature of the layers are studied.


Résumé
Des couches minces d'oxydes de cuivre sont obtenues par condensation sur des supports en quartz des produits de réaction initiés dans des plasmas faiblement ionisés composés d'oxygène et d'argon, par pulvérisation cathodique de cuivre. On montre l'influence du plasma initiateur sur la nature des couches obtenues ainsi que le rôle du potentiel de décharge de la cathode.

PACS
8115C - Deposition by sputtering.
5277D - Plasma-based ion implantation and deposition.

Key words
copper compounds -- films -- sputtering