Sound propagation in α Sn

Abstract
The sound propagation in the gapless semiconductor α Sn is studied in both adiabatic and non-adiabatic regimes within the R.P.A. scheme. It is shown that the sound velocity is the same in both regimes, while the latter is characterized by a q 3/2 sound absorption. The validity of these results when the many-body interactions are taken into account is briefly discussed.

Résumé
La propagation d'ondes sonores dans l'étain α, semiconducteur à gap nul, est étudiée dans les deux régimes adiabatique et non adiabatique, dans l'approximation de la phase aléatoire. On montre que la vitesse des ondes est la même dans les deux régimes et que le domaine non adiabatique est caractérisé par une absorption en q 3/2. L'influence des interactions à N électrons sur ces résultats est ensuite brièvement discutée.