Énergie de liaison du système composé d'un exciton et d'un électron piégés par un centre d'impureté dans un semi-conducteur

Abstract
The complex consisting of an exciton and an electron trapped by an impurity center fixed in the crystalline lattice of a semiconductor is studied in the effective mass approximation. Its binding energy is given as a function of the ratio of hole to electron effective masses by means of quantum mechanical variational calculations.

Résumé
On étudie dans l'approximation de la masse effective le système de particules composé d'un exciton et d'un électron piégés par un centre d'impureté fixé dans le réseau cristallin d'un semi-conducteur. On calcule son énergie de liaison en fonction du rapport des masses effectives de l'électron et du trou par la méthode variationnelle.