The preparation and study of the optical absorption edge of thin films of gallium arsenide

Abstract
Films of gallium arsenide have been prepared by evaporation on to amorphous substrates. A simple and effective method of evaporating gallium arsenide, which would also be applicable to other III-V compounds, is described. The optical absorption edge has proved to be less steep in the films than expected from single crystal data, the absorption extending into the infrared, and is a function of substrate temperature.

Résumé
On a préparé des films d'arséniure de gallium par évaporation sur des supports amorphes. On décrit une méthode simple et efficace pour évaporer l'arséniure de gallium, méthode qui pourrait être applicable à d'autres composes III-V. On a trouvé que la décroissance de l'absorption au voisinage de la bande était moins rapide pour les couches minces que celle à laquelle on pourrait s'attendre à partir des données concernant un seul cristal, l'absorption s'étendant dans l'infrarouge ; elle dépend de la température du support.