Numéro
J. Phys. France
Volume 25, Numéro 1-2, janvier-février 1964
Page(s) 208 - 211
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01964002501-2020801
J. Phys. France 25, 208-211 (1964)
DOI: 10.1051/jphys:01964002501-2020801

Ellipsometric investigations of oxide films on Ga As

Karl H. Zaininger et Akos G. Revesz

RCA Laboratories, Princeton, New Jersey, U. S. A.


Abstract
The optical constants of GaAs substrates have been determined by ellipsometry for λ = 5 461 Å. They are n = 3.923 and k = 0.304. The fundamental equation of ellipsometry was solved for the case of transparent films on GaAs. Investigations on thermally oxidized GaAs revealed that the resulting film has a complex structure, with an accumulation of arsenic at the GaAs-film interface.


Résumé
Les constantes optiques de support en GaAs ont été déterminées par ellipsométrie pour λ = 5 461 Å. Leurs valeurs sont : 3,923 pour n et 0,304 pour k. L'équation fondamentale de l'ellipsométrie a été résolue pour Ie cas de films transparents déposés sur GaAs. Les recherches effectuées sur GaAs oxydé thermiquement ont montré que le film obtenu a une structure complexe, avec une accumulation d'arsenic sur la face du film côté GaAs.

PACS
4279W - Optical coatings.
7820 - Optical properties of bulk materials and thin films.
0760F - Polarimeters and ellipsometers.

Key words
gallium compounds -- optical films