Numéro
J. Phys. France
Volume 25, Numéro 1-2, janvier-février 1964
Page(s) 203 - 208
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01964002501-2020300
J. Phys. France 25, 203-208 (1964)
DOI: 10.1051/jphys:01964002501-2020300

Préparation et propriétés optiques de couches minces d'arséniure de gallium et de tellurure de cadmium

S. Martinuzzi, M. Perrot et J. Fourny

Institut d'Énergie Solaire, Université d'Alger


Abstract
In order to make solar batteries based on thin layers, we have selected gallium arsenide and cadmium telluride. We have studied their optical and photoelectrical properties : the results obtained form the subject of this study. It is shown that the results agree with those of the solid material for reflexion and transmission factors, while the photoelectric properties of thin layers of cadmium telluride are remarkable.


Résumé
Dans le but de réaliser des héliophiles en couche mince, nous avons choisi comme matériau l'arséniure de gallium et le tellurure de cadmium. Nous avons abordé l'étude de leurs propriétés optiques et photoélectriques les résultats obtenus faisant l'objet de cet exposé. Nous montrons que pour les facteurs de réflexion et de transmission, les résultats concordent avec ceux relatifs au matériau massif, tandis que les propriétés photoélectriques présentées par les couches minces de tellurure de cadmium sont surprenantes.

PACS
8115 - Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy.
7960 - Photoemission and photoelectron spectra.

Key words
cadmium compounds -- films -- gallium compounds -- photoemission