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Citations de cet article :

A self‐consistent analysis of temperature‐dependent field‐effect measurements in hydrogenated amorphous silicon thin‐film transistors

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The Meyer- Neldel Rule and the Fundamental Pre-Exponential Factor in the Conductivity of a-Si:H

T. Drüsedau and R. Bindemann
physica status solidi (b) 136 (1) K61 (1986)
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Electronic properties of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys

J. Bullot, M. Galin, M. Gauthier, B. Bourdon and B. Bourdon
Journal de Physique 44 (6) 713 (1983)
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On the application of the Meyer-Neldel rule to a-Si:H

P Irsigler, D Wagner and D J Dunstan
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DOI: 10.1088/0022-3719/16/34/010
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