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Citations de cet article :

p-n junctions in (In,Se)/Cu(In,Ga)(Se,S)2 photovoltaic systems

G. Massé and K. Djessas
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DOI: 10.1063/1.1621715
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Photoluminescence and electrical properties of Sn‐doped CuGaSe2 single crystals

J. H. Schön, F. P. Baumgartner, E. Arushanov, et al.
Journal of Applied Physics 79 (9) 6961 (1996)
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Concerning lattice defects and defect levels in CuInSe2and the I‐III‐VI2compounds

G. Massé
Journal of Applied Physics 68 (5) 2206 (1990)
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Donor‐acceptor pair transitions in CuInS2

N. Lahlou and G. Massé
Journal of Applied Physics 52 (2) 978 (1981)
DOI: 10.1063/1.328788
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A donor-acceptor pair broad band emission in AgGaS2

J.P. Leyris, J.P. Aicardi and S. Soule
Journal of Luminescence 28 (1) 65 (1983)
DOI: 10.1016/0022-2313(83)90026-1
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Shallow centers in some photovoltaic Cu-III-VI2 compounds

Georges Massé
Journal of Physics and Chemistry of Solids 45 (11-12) 1091 (1984)
DOI: 10.1016/0022-3697(84)90002-7
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Detection of donor - acceptor quasi particle in CuGaSe2 by absorption spectroscopy

N.V Joshi, A.J Mejias and R.W Echeverría
Solid State Communications 55 (11) 933 (1985)
DOI: 10.1016/0038-1098(85)90561-7
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Donor-acceptor transition in CuGaSe2

A Poure, J P Leyris and J P Aicardi
Journal of Physics C: Solid State Physics 14 (4) 521 (1981)
DOI: 10.1088/0022-3719/14/4/023
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