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Citations de cet article :

Narrow Gap Semiconductors Physics and Applications

G. Landwehr
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DOI: 10.1007/3-540-10261-2_59
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Supersymmetric inhomogeneous semiconductor structures and the nature of a parity anomaly in (2+1) electrodynamics

O.A. Pankratov
Physics Letters A 121 (7) 360 (1987)
DOI: 10.1016/0375-9601(87)90307-0
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Optical properties of the quasi two-dimensional systems on tellurium surfaces

Michael von Ortenberg
Surface Science 98 (1-3) 481 (1980)
DOI: 10.1016/0039-6028(80)90529-4
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Far-infrared magneto-spectroscopy of photo-excited carriers in tellurium

Y. Nisida, M. von Ortenberg and W. Weber
Solid State Communications 33 (2) 199 (1980)
DOI: 10.1016/0038-1098(80)90353-1
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Calculation of surface quantum levels in tellurium inversion layers

J. Bouat and J.C. Thuillier
Journal de Physique 39 (11) 1193 (1978)
DOI: 10.1051/jphys:0197800390110119300
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Strong electrical magnetochiral anisotropy in tellurium

G. L. J. A. Rikken and N. Avarvari
Physical Review B 99 (24) (2019)
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On the thermoelectric power in quantum dots of Te under large magnetic field

K. P. Ghatak and M. Mondal
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Inversion layers of tellurium in magnetic fields

E Kaczmarek and E Bangert
Journal of Physics C: Solid State Physics 13 (4) 695 (1980)
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Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I

Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter, Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I 41C 1 (1998)
DOI: 10.1007/10681727_1302
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The Physics of Selenium and Tellurium

M. Lutz
Springer Series in Solid-State Sciences, The Physics of Selenium and Tellurium 13 86 (1979)
DOI: 10.1007/978-3-642-81398-6_14
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