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Citations de cet article :

The deposition of thin films of GaAs and GaAs-zinc chalcogenide alloys

R. Hill
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DOI: 10.1016/0040-6090(75)90022-X
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Relation between optical gaps of semiconductors in amorphous and crystalline state

V. Vorlíček
Czechoslovak Journal of Physics 25 (9) 1042 (1975)
DOI: 10.1007/BF01597583
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Reactive unbalanced magnetron sputtering of hydrogenated amorphous silicon and silicon oxide

GW Hall, RP Howson and A Chew
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DOI: 10.1016/0042-207X(93)90159-8
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Materials for use in the fabrication of infrared interference filters

P.W. Black and J. Wales
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DOI: 10.1016/0020-0891(68)90011-0
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Intermetallic Semiconducting Films

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DOI: 10.1016/B978-0-08-013367-6.50013-2
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Das Aufdampfen von Verbindungshalbleitern im Hochvakuum

H Freller and K.G Günther
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DOI: 10.1016/0040-6090(69)90057-1
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Optical properties of amorphous III–V compounds. I. Experiment

J. Stuke and G. Zimmerer
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Solar Energy Conversion

Richard C. Neville
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Optical properties of thin films of indium arsenide

R P Howson
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The plasma reflection edge in thin films of semiconductors

R P Howson
Journal of Physics D: Applied Physics 3 (6) 863 (1970)
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Structural and Electrical Properties of Flash‐Evaporated Thin GaAs Films

M. R. Farukhi and E. J. Charlson
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Infrared Filters of Evaporated Gallium Arsenide

R. P. Howson
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Structural and Optical Characteristics of Thin GaAs Films. II

Titus Pankey and John E. Davey
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The growth and structure of semiconducting thin films

B A Joyce
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Ein Beitrag zur Herstellung von Galliumarsenid-Epitaxie-Schichten im Hochvakuum

W. Kleber, W. Tappe and G. Melle
Kristall und Technik 5 (4) 511 (1970)
DOI: 10.1002/crat.19700050405
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Contribution à l'étude de couches minces de matériaux semiconducteurs utilisés dans la préparation de photopiles

M. Perrot, J.P. David and S. Martinuzzi
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DOI: 10.1051/rphysap:0196600103016400
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