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Article cité :

Semiconductor surface barrier variations versus temperature, corresponding to a complex surface distribution. Calculation and development
Barrière de surface d'un semiconducteur en fonction de la température dans le cas de distributions complexes d'états. Calcul et exploitation

J. Bonnet, L. Soonckindt, J.M. Palau, H. Mansour, L. Lassabatère

J. Phys. France, 45 7 (1984) 1197-1211

DOI: https://doi.org/10.1051/jphys:019840045070119700

Citations de cet article :

Low temperature work function variations of the Au/GaSb (110) interface: Experimental results and theoretical model

C. Guasch, A. Doukkali and J. Bonnet
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 19 (5) 2051 (2001)
https://doi.org/10.1116/1.1372900

Investigation of electron processes at the p and n type Si(111) real surface by the surface photovoltage method

B. Adamowicz
Surface Science 231 (1-2) 1 (1990)
https://doi.org/10.1016/0039-6028(90)90683-Y

Experimental indications that the perfectly cleaved surface of n-GaP may be unpinned

M. Benkacem, M. Dumas, J.M. Palau and L. Lassabatère
Surface Science 201 (1-2) L485 (1988)
https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90592-4

The contribution of surface effects to the surface photovoltage dependence on temperature for the real Si(111) surface

B. Adamowicz and S. Kochowski
Surface Science 200 (2-3) 172 (1988)
https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90517-1