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Properties of InP(110) surfaces, InP(110)−Ag interfaces and InP(110)−Ag schottky diodes contribution of the temperature

M. Dumas, M. Ben Kacem, J.M. Palau and L. Lassabatère
Surface Science 189-190 315 (1987)
https://doi.org/10.1016/S0039-6028(87)80448-X

A study of oxygen interaction with GaSb cleaved surfaces by work function and photovoltage measurements

J. Bonnet, L. Soonckindt, A. Ismail and L. Lassabatere
Thin Solid Films 151 (1) 103 (1987)
https://doi.org/10.1016/0040-6090(87)90012-5

GaAs (110)–oxygen interaction: A study of electronic properties

A. Ismail, J. M. Palau and L. Lassabatere
Journal of Applied Physics 60 (5) 1730 (1986)
https://doi.org/10.1063/1.337266

Formation and properties of (Au, Al, Ag, In) (InP-GaAs) Schottky diodes; contribution of the semiconductor surface to the diode characteristics

L. Lassabatère, A. Ismail, J.M. Palau and A. Ben Brahim
Surface Science 168 (1-3) 336 (1986)
https://doi.org/10.1016/0039-6028(86)90863-0

The adsorption of oxygen on InP cleaved surfaces and its influence on schottky barrier properties

A. Ismail, A. Ben Brahim, J.M. Palau and L. Lassabatère
Surface Science 168 (1-3) 409 (1986)
https://doi.org/10.1016/0039-6028(86)90871-X

Comparison between GaAs(110) and InP(110) surface properties induced by cleavage defects and by oxygen adsorption

A. Ismail, A. Ben Brahim, J.M. Palau and L. Lassabatère
Surface Science 162 (1-3) 195 (1985)
https://doi.org/10.1016/0039-6028(85)90895-7