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Properties of bonded hydrogen in hydrogenated amorphous silicon and other hydrogenated amorphous silicon alloys

G. Lucovsky, Z. Jing, Z. Lu, D.R. Lee and J.L. Whitten
Journal of Non-Crystalline Solids 182 (1-2) 90 (1995)
https://doi.org/10.1016/0022-3093(94)00578-8

Nitrogen: Not a Dopant in Crystalline Si (C-Si), But an N-Type Dopant in A-Si:H, Why?

G. Lucovsky, M.J. Williams, S.S. He, et al.
MRS Proceedings 336 (1994)
https://doi.org/10.1557/PROC-336-637

Internal friction and elastic moduli of V and Cr films on Si substrates

O. Yoshinari, T. Ohta, T. Saitoh, S. Mibu and K. Tanaka
Journal of Alloys and Compounds 211-212 434 (1994)
https://doi.org/10.1016/0925-8388(94)90538-X

Vibrational modes in electrodeposited amorphous silicon: FT-IR analysis

P. R. L. Sarma, T. R. Rama Mohan, S. Venkatachalam, V. P. Sundarsingh and Jagmal Singh
Journal of Materials Science 27 (17) 4762 (1992)
https://doi.org/10.1007/BF01166018

Electrical measurement of the dopant segregation profile at the grain boundary in silicon bicrystals

A. Broniatowski
Journal of Applied Physics 64 (9) 4516 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.341279

The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II

G. Lucovsky and W. B. Pollard
Topics in Applied Physics, The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II 56 301 (1984)
https://doi.org/10.1007/3540128077_7

Steady State and Transient Capacitance Measurements of the Energy Levels of a Low Angle Tilt Boundary in a Germanium Bicrystal

A. Broniatowski and J.C. Bourgoin
MRS Proceedings 5 (1981)
https://doi.org/10.1557/PROC-5-119