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Article cité :

First-Principles Calculations of Dislocations in Semiconductors

R. Jones, A. Umerski, P. Sitch, M. I. Heggie and S. Öberg
Physica Status Solidi (a) 137 (2) 389 (1993)
https://doi.org/10.1002/pssa.2211370211

Determination of the orientation distribution function from pole figures in arbitrarily defined cells

K. Pawlik
physica status solidi (b) 134 (2) 477 (1986)
https://doi.org/10.1002/pssb.2221340205

The effect of annealing on the dislocation dissociation in plasticially deformed silicon

V. V. Aristov, M. N. Zolotukhin, V. V. Kveder, et al.
Physica Status Solidi (a) 76 (2) 485 (1983)
https://doi.org/10.1002/pssa.2210760210

The Effect of Annealing on the Defect Structure and Electrical Properties of Deformed Single Crystals of Ge

V. V. Aristov, Yu A. Osipyan, R. Scholz, et al.
Physica Status Solidi (a) 79 (1) 47 (1983)
https://doi.org/10.1002/pssa.2210790103

General Consideration of the Loss of Information on the Orientation Distribution Function of Texturized Samples in Pole Figure Measurements

S. Matthies and K. Helming
physica status solidi (b) 113 (2) 569 (1982)
https://doi.org/10.1002/pssb.2221130221

Study of the ghost phenomena in mathematical texture analysis by means of standard functions

S. Matthies and F. Wagner
physica status solidi (b) 107 (2) 591 (1981)
https://doi.org/10.1002/pssb.2221070224