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Article cité :

An exact calculation of the voltage‐dependent tunnelling current in simple one‐dimensional models: comparison with the Bardeen perturbation approach

W. S. Sacks and C. Noguera
Journal of Microscopy 152 (1) 23 (1988)
https://doi.org/10.1111/j.1365-2818.1988.tb01358.x

Studies of the frequency-dependent admittances of Schottky barriers formed on sputtered hydrogenated amorphous silicon

I. G. Gibb and A. R. Long
Philosophical Magazine B 49 (6) 565 (1984)
https://doi.org/10.1080/13642818408227646

A direct calculation of the resonance tunneling in metal–insulator–metal tunnel junctions

H. Knauer, J. Richter and P. Seidel
Physica Status Solidi (a) 44 (1) 303 (1977)
https://doi.org/10.1002/pssa.2210440132

A direct calculation of the tunnelling current. III. Effect of localized impurity states in the barrier

R Combescot
Journal of Physics C: Solid State Physics 4 (16) 2611 (1971)
https://doi.org/10.1088/0022-3719/4/16/026

An exact calculation of the voltage‐dependent tunnelling current in simple one‐dimensional models: Comparison with the Bardeen perturbation approach

W. S. Sacks and C. Noguera
The Monthly Microscopical Journal 3 (2) 23 (1870)
https://doi.org/10.1111/j.1365-2818.1870.tb06325.x