Numéro
J. Phys. France
Volume 49, Numéro 1, janvier 1988
Page(s) 53 - 61
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:0198800490105300
J. Phys. France 49, 53-61 (1988)
DOI: 10.1051/jphys:0198800490105300

Etude expérimentale de la dynamique de croissance de défauts étendus, sous irradiation électronique à haute énergie, dans le tellurure de cadmium

A.M. Gué et A. Mazel

Laboratoire d'Optique Electronique du C.N.R.S., 29 rue J. Marvig, 31055 Toulouse Cedex, France


Abstract
Some results of the study of extended defects observed in CdTe after irradiation with electrons of energy considerably higher than the threshold values for displacement of cadmium and tellurium are reported in this paper. During irradiation, the displaced atoms cluster and interstitial dislocation loops appear. This effect seems to be particularly sensitive to three experimental parameters : the accelerating voltage, the dose and the specimen temperature. It is shown that the density of defects becomes greater when the accelerating voltage is raised. Due to thermal effects, the size of the loops increases and their number decreases when the specimen température is increased. When the irradiation time is long enough, another kind of defects due to vacancies can be observed.


Résumé
Les travaux que nous présentons ici apportent une contribution à l'étude des défauts étendus dans le CdTe obtenus après irradiation avec des électrons dont l'énergie est très nettement supérieure aux seuils de déplacement du cadmium et du tellure. Lors de ces irradiations, les atomes déplacés par les électrons incidents s'agglomèrent en positions interstitielles et forment des boucles de dislocation. Trois paramètres expérimentaux semblent avoir une importance primordiale : la tension accélératrice, la température et la dose. Il est mis en évidence qu'une élévation de tension favorise la formation en plus grand nombre des boucles. Les effets thermiques se manifestent par l'apparition d'amas de taille plus importante et de moindre densité lorsque la température croît. Lorsque le temps d'exposition au faisceau électronique est suffisamment long, une nouvelle génération d'agglomérats apparaît : ceux-ci sont constitués de lacunes.

PACS
6172F - Direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, x-ray topography, etc.).
6180F - Electron and positron radiation effects.

Key words
cadmium compounds -- dislocation loops -- electron beam effects -- II VI semiconductors