Numéro
J. Phys. France
Volume 44, Numéro 1, janvier 1983
Page(s) 77 - 85
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:0198300440107700
J. Phys. France 44, 77-85 (1983)
DOI: 10.1051/jphys:0198300440107700

Electron spin-lattice relaxation in a true amorphous material : V4+ in V 2O5

A. Deville1, B. Gaillard1, C. Blanchard1 et J. Livage2

1  Université de Provence, Centre de St-Jérôme, Département d'Electroniquc , 13397 Marseille, France
2  Université Paris VI, Spectrochimie du Solide , 75005 Paris, France


Abstract
The electron spin-lattice relaxation time T1 of V 4+ in amorphous V2O5 has been measured in the X-band between 1.4 K and 100 K : [FORMULA]. We explain this behaviour using a process requiring one two-level system (T.L.S.) modulating the crystal field, and one phonon. The characteristic temperature 56 K must be associated not with the maximum energy of the T.L.S. but with the cut-off in the distribution of the asymmetry parameter Δ. Spin-lattice relaxation is thus able to give informations about the asymmetry.


Résumé
Nous avons mesuré le temps de relaxation spin électronique-réseau T 1 de l'ion V4+ dans V2O5 en bande X entre 1,4 et 100 K : [FORMULE] . Nous expliquons ce comportement à l'aide d'un processus faisant intervenir la modulation du champ cristallin par un S.D.N., et un phonon. On doit associer la température caractéristique de 56 K non pas au maximum de l'énergie des S.D.N., mais a l'énergie de coupure dans la distribution du paramètre d'asymétrie Δ. La relaxation spin-réseau se montre ainsi capable de fournir des informations sur l' asymétrie.

PACS
6350 - Vibrational states in disordered systems.
7630F - Iron group (3d) ions and impurities (Ti-Cu).

Key words
electron spin lattice relaxation -- paramagnetic resonance of iron group ions and impurities -- vanadium -- vanadium compounds -- vibrational states in disordered systems