Numéro
J. Phys. France
Volume 42, Numéro 7, juillet 1981
Page(s) 1003 - 1006
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:019810042070100300
J. Phys. France 42, 1003-1006 (1981)
DOI: 10.1051/jphys:019810042070100300

Energie de liaison des excitons directs dans CdGa2(SxSe 1-x)4

V.I. Chizhikov1, 2, V.L. Panyutin1, 2, B.E. Ponedelnikov1, 2 et A.E. Rozenson1, 2

1  Division de Physique Théorique, C.S.T.N., B.P. 1017, Alger-Gare, Algérie
2  Adresse permanente : Kuban State University, Krasnodar,U.S.S.R.


Abstract
Direct exciton binding energy at the centre of the Brillouin zone, effective masses of electrons at the bottom of the conduction band and those of holes at the top of the valence band are evaluated for CdGa2(S xSe1-x)4 solid solution, using the band structure, which has been obtained in our paper [9]. The theoretical results look reasonable.


Résumé
L'énergie de liaison des excitons au centre de la zone de Brillouin, les masses effectives des électrons au bas de la bande de conduction et des trous au sommet de la bande de valence sont évaluées pour la solution solide CdGa 2(SxSe1-x)4 en utilisant la structure de bande que nous avons obtenue dans [9]. L'ensemble des prévisions théoriques est raisonnable.

PACS
7135 - Excitons and related phenomena.

Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- binding energy -- Brillouin zones -- cadmium compounds -- excitons -- gallium compounds -- ternary semiconductors