Numéro
J. Phys. France
Volume 28, Numéro 10, octobre 1967
Page(s) 839 - 844
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:019670028010083900
J. Phys. France 28, 839-844 (1967)
DOI: 10.1051/jphys:019670028010083900

Renforcement de la photoluminescence par le champ électrique dans les (Zn, Cd)s/mn. lois générales et mécanisme

C. Marti

Laboratoire de Luminescence, Faculté des Sciences de Paris


Abstract
The conditions for observation of field enhancement are described in connection with related phenomena. The laws of variation versus the voltage and the frequency of the field and versus the excitation intensity and the temperature are given. A model based on detrapping of holes by the field is described and the influence of this increase in the concentration of free holes on the recombination kinetics is studied. Assuming that the radiative recombination-level is located near the conduction band, and the non radiative one (effective in the temperature range of observation) near the valence band, the main part of the phenomena can be explained.


Résumé
On rappelle les conditions d'observation du renforcement par le champ et les phénomènes qui lui semblent liés. On donne les lois de sa variation avec la tension et la fréquence du champ, l'intensité d'excitation et la température. On propose un modèle basé sur le dépiégeage de trous par le champ électrique ; on étudie l'influence de l'augmentation de trous libres dans la bande de valence sur la cinétique de recombinaison. En admettant que le centre de recombinaisons radiatives est proche de la bande de conductibilité et que le centre de recombinaisons non radiatif efficace dans le domaine de température envisagé est proche de la bande de valence, on peut expliquer l'ensemble des phénomènes.

PACS
7855 - Photoluminescence, properties and materials.
7855H - Other solid inorganic materials.

Key words
zinc compounds -- luminescence of inorganic solids -- electric field effects