Mise en évidence de phénomènes liés à la germination de couches minces de Ti et TiO2 obtenues par pulvérisation cathodique réactive

Abstract
Ti and TiO2 thin films have been deposited on glass, aluminium and SiO2, at constant rates, by cold plasmas (Ti, A)* and (Ti, A, O)* obtained by reactive cathodic sputtering. By correlating TiKα 1 fluorescence intensity to optical thickness of these films, it has been shown that : - for thicknesses > 500 Å TiKα1 intensity is related to the number of Ti atoms in the layers and this allows discrimination between the metal and its oxide ; - for thicknesses < 500 Å, the correlation coefficient k shows a very important maximum for critical thicknesses, the value of which depends upon the chemical nature of the films and of the substrates. These thicknesses seem to be characteristic of the nucleation processes.

Résumé
Des couches minces de Ti et TiO2 ont été déposées sur des substrats de verre, d'aluminium et de SiO2, à vitesse uniforme, par condensation de plasmas froids (Ti, A)* et (Ti, A, O)* obtenus par pulvérisation cathodique réactive. La mise en corrélation des intensités de fluorescence TiKα1 avec les épaisseurs optiques de ces couches montre que pour des épaisseurs > 500 Å l'intensité TiK α1 dépend du nombre d'atomes de Ti constituant les couches ce qui permet de différencier le métal de son oxyde. Pour des épaisseurs < 500 Å le coefficient de corrélation k passe par un maximum très prononcé correspondant à des épaisseurs critiques dont la valeur est conditionnée simultanément par la nature chimique des couches et des substrats. Ces épaisseurs semblent être caractéristiques des processus de germination.