Numéro
J. Phys. France
Volume 27, Numéro 1-2, janvier-février 1966
Page(s) 24 - 36
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01966002701-202400
J. Phys. France 27, 24-36 (1966)
DOI: 10.1051/jphys:01966002701-202400

Influence des défauts ponctuels sur l'élargissement des raies de résonance électronique de l'ion Er3+ dans MgO

Y. Ayant et E. Belorizky

Laboratoire de Physique Générale, Laboratoire d'Électrostatique et de Physique du Métal, Université de Grenoble, et Alcatel


Abstract
A theoretical study of line widths and line shapes corresponding to permitted transitions bétween sublevels proceeding from a crystalline Γ 8 level is given. Some lines are broadened by crystal defects ; by a generalization of Anderson's statistical theory a Lorentzian line shape is obtained. Broadening mechanisms of other lines much narrower than the previous ones are examined. The case of Er3+ in MgO is described in particular.


Résumé
On étudie théoriquement les formes et les largeurs de raies correspondant aux transitions permises entre sous niveaux Zeeman issus d'un niveau cristallin Γ8. Certaines raies sont élargies par les défauts du réseau et on montre, par une généralisation de la théorie statistique d'Anderson, que leur forme est Lorentzienne. On examine aussi les mécanismes d'élargissement d'autres raies beaucoup plus fines que les précédentes. Le cas de l'ion Er3+ dans MgO est plus particulièrement décrit.

PACS
6172 - Defects and impurities in crystals; microstructure.
76 - Magnetic resonances and relaxations in condensed matter, Moessbauer effect.

Key words
crystal defects -- erbium -- magnesium compounds