Numéro
J. Phys. France
Volume 24, Numéro 11, novembre 1963
Page(s) 885 - 885
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:019630024011088500
J. Phys. France 24, 885-885 (1963)
DOI: 10.1051/jphys:019630024011088500

Étude de la réaction 16O + d par détecteurs à semiconducteurs

G. Amsel

Accélérateur Linéaire, Orsay


Résumé
Les détecteurs à jonction n + β mis au point dans notre laboratoire ont été utilisés pour l'étude de la réaction 16O + d avec les voies de sortie 14N + α, 16O + d, 17O + P0, 17*O + P1 « La surface d'excitation » de la réaction 16O(d, α)14 N a permis de localiser 3 niveaux de 18F de spin isotopique T = 0, ainsi que de déterminer leur largeur réduite, spin et parités pour la plupart. On montre qu'une grande densité de points de mesure permet de faire cette analyse même dans le cas de résonances larges qui interfèrent, à condition que toutes les voies de sortie soient étudiées.

PACS
2940 - Radiation detectors.
2545 - 2H-induced reactions.
2720 - 6(less-than-or-equal-to)A(less-than-or-equal-to)19.

Key words
semiconductor counters -- nuclear reactions and scattering due to deuterons