Numéro
J. Phys. France
Volume 24, Numéro 7, juillet 1963
Page(s) 471 - 473
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01963002407047100
J. Phys. France 24, 471-473 (1963)
DOI: 10.1051/jphys:01963002407047100

Évolution des défauts introduits par l'irradiation aux neutrons d'une jonction P. I. N. au silicium

J.C. Lanore, J.M. Combes et R. Schuttler

Service d'Études de Protection de Piles. C. E. N. de Fontenay-aux-Roses


Abstract
In order to predict the damage to materials in a reactor, the authors are studying the variation of the physical parameters in a P. I. N. junction under neutron irradiation and then their evolution by annealing, which gives an activation energy of 0.5 eV.


Résumé
En vue de prévoir la détérioration des matériaux par un réacteur, les auteurs étudient la variation des paramètres physiques d'une jonction P. I. N. lors d'une irradiation neutronique, puis leur évolution par recuit. Celle-ci présente une énergie d'activation de 0,5 eV.

PACS
6180H - Neutron radiation effects.
6172 - Defects and impurities in crystals; microstructure.
8530 - Semiconductor devices.

Key words
crystal defects -- neutron effects -- transistors -- semiconductor junctions -- semiconductors