Issue
J. Phys. France
Volume 25, Number 1-2, janvier-février 1964
Page(s) 226 - 232
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01964002501-2022601
J. Phys. France 25, 226-232 (1964)
DOI: 10.1051/jphys:01964002501-2022601

Propriétés et structure des couches minces de composés semiconducteurs

C. Paparoditis

Laboratoire de Magnétisme et de Physique du Solide, C. N. R. S., Bellevue


Abstract
The properties of thin films of InSb, InAs, HgTe, Ag2Te are described : the energy gap equals that of the single crystals ; the electron mobility is 2 to 20 times lower ; the électron concentration is ≈ 10 17 cm-3, pointing to a very precise stoichiometric composition. The spherolitic, highly ordered structure of the Ag2Te films is also described and explained, as well as its modifications as a function of several parameters, including an electric field applied during growth.


Résumé
On décrit les propriétés de couches minces de InSb, InAs, HgTe, Ag 2Te : largeur de bande interdite identique à celle du monocristal ; mobilité électronique 2 à 20 fois plus faible ; concentration électronique ≈ 1017 cm-3 dénotant une stoechiométrie très exacte. On décrit aussi et on explique la structure sphérolitique, très ordonnée, des couches de Ag2Te, ainsi que ses modifications en fonction de divers paramètres, notamment un champ électrique appliqué en cours de croissance.

PACS
7120N - Semiconductor compounds.
6855 - Thin film structure and morphology.

Key words
energy states -- films -- indium compounds -- mercury compounds -- semiconductor materials -- III V semiconductors -- silver compounds