Binding energy of the system composed of an exciton and an electron trapped by an impurity centre in a semiconductor.
Énergie de liaison du système composé d'un exciton et d'un électron piégés par un centre d'impureté dans un semi-conducteur
J. Phys. France, 28 3-4 (1967) 307-314
DOI: 10.1051/jphys:01967002803-4030700