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Article cité :

Mobility of n-type PbTe for temperatures below 50K
Mobilité dans PbTe de type n au-dessous de 50 K

R. Granger, A. Lasbley, C.M. Pelletier, S. Rolland

J. Phys. France, 46 7 (1985) 1185-1192

DOI: https://doi.org/10.1051/jphys:019850046070118500

Citations de cet article :

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Y. Akishige
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https://doi.org/10.1007/10552342_130

The dominant mechanisms of charge-carrier scattering in lead telluride

D. M. Zayachuk
Semiconductors 31 (2) 173 (1997)
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Three dimensional superlattice in Pb1−χGdχTe (Wigner's crystallization)

B.A. Lombos, M. Averous, C. Fau, et al.
Journal of Magnetism and Magnetic Materials 93 391 (1991)
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Carrier concentration and transport in Hg1−xZnxTe for x near 0.15

R. Granger, A. Lasbley, S. Rolland, C.M. Pelletier and R. Triboulet
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Electrical characterization of as-grown, annealed and indium-doped Hg1-xZnxTe for x near 0.15

S. Rolland, A. Lasbley, A. Seyni, R. Granger and R. Triboulet
Revue de Physique Appliquée 24 (8) 795 (1989)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002408079500

Acoustical deformation potential and effective mass in n-type lead telluride between 4 and 300 K

C.M. Pelletier, S. Roland, R. Granger and A. Lasbley
Journal of Physics and Chemistry of Solids 49 (2) 139 (1988)
https://doi.org/10.1016/0022-3697(88)90043-1