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Article cité :

Polytope model and the electronic and structural properties of amorphous semiconductors

R. Mosseri, D. P. DiVincenzo, J. F. Sadoc and M. H. Brodsky
Physical Review B 32 (6) 3974 (1985)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.3974

Exact relationship between the equivalent-orbital and bond-orbital models of polar or covalent semiconductors

J -L Colot
Journal of Physics C: Solid State Physics 15 (31) 6351 (1982)
https://doi.org/10.1088/0022-3719/15/31/011

X-ray diffraction study of the effect of hydrogen atoms on the Si–Si atomic short-range order in amorphous silicon

R. Mosseri, C. Sella and J. Dixmier
Physica Status Solidi (a) 52 (2) 475 (1979)
https://doi.org/10.1002/pssa.2210520215

Trends in the band structure of defect tetrahedral compound semiconductors : oxides and other systems with 4-2 local coordination

M. Bensoussan and M. Lannoo
Journal de Physique 40 (8) 749 (1979)
https://doi.org/10.1051/jphys:01979004008074900