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Article cité :

Uniaxial compression effects on conduction mechanisms in p-type gallium antimonide

M. Averous, J. Calas, C. Fau, J. Bonnafe

J. Phys. France, 37 11 (1976) 1347-1357

DOI: https://doi.org/10.1051/jphys:0197600370110134700

Citations de cet article :

Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties

Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter, Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties b 1 (2002)
https://doi.org/10.1007/10832182_258

Symmetry‐induced zero‐gap semiconductors

M. Averous
physica status solidi (b) 95 (1) 9 (1979)
https://doi.org/10.1002/pssb.2220950102

Hydrostatic-pressure effect on electrical resistivity of EuO in the temperature range 6-300 K

J. P. Desfours, C. Godart, G. Weill, M. Averous and C. Llinares
Physical Review B 18 (6) 2750 (1978)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.18.2750