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Article cité :

Calculation of the energy levels of a neutral vacancy and of self-interstitials in silicon

E Kauffer, P Pecheur and M Gerl
Journal of Physics C: Solid State Physics 9 (12) 2319 (1976)
https://doi.org/10.1088/0022-3719/9/12/015

Molecular-Orbital Treatment for Deep Levels in Semiconductors: Substitutional Nitrogen and the Lattice Vacancy in Diamond

R. P. Messmer and G. D. Watkins
Physical Review B 7 (6) 2568 (1973)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.7.2568