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Article cité :

Dielectric properties of cuprous oxide at audiofrequencies between 150 and 320 K
Propriétés diélectriques de l'oxyde cuivreux aux audiofréquences entre 150 °K et 320 °K

C. Noguet

J. Phys. France, 31 4 (1970) 393-399

DOI: https://doi.org/10.1051/jphys:01970003104039300

Citations de cet article :

Numerical investigations of the impact of buffer germanium composition and low cost fabrication of Cu2O on AZO/ZnGeO/Cu2O solar cell performances

Christyves Chevallier, Sourav Bose, Sidi Ould Saad Hamady and Nicolas Fressengeas
EPJ Photovoltaics 12 3 (2021)
https://doi.org/10.1051/epjpv/2021003

Cu 2 O quantum dots emitting visible light grown by atomic layer deposition

Min Young Lee, Soo-Hyun Kim and Il-Kyu Park
Physica B: Condensed Matter 500 4 (2016)
https://doi.org/10.1016/j.physb.2016.07.025

Device simulation of cuprous oxide heterojunction solar cells

Yuki Takiguchi and Shinsuke Miyajima
Japanese Journal of Applied Physics 54 (11) 112303 (2015)
https://doi.org/10.7567/JJAP.54.112303

Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I

Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter, Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I 41C 1 (1998)
https://doi.org/10.1007/10681727_58

The electrophysical properties of thin cuprous oxide films

Yu. D. Pankov, Yu. V. Pestov, V. A. Kamin, S. A. Gerasimova and E. V. Mikheeva
Soviet Physics Journal 16 (3) 402 (1973)
https://doi.org/10.1007/BF00895441