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Article cité :

Electron spin resonance in As‐doped Ge in a wide range of impurity concentration

E. M. Gershenzon, N. M. Pevin and M. S. Fogelson
physica status solidi (b) 49 (2) 411 (1972)
https://doi.org/10.1002/pssb.2220490203

Negative magnetoresistance of compensatedn-type GaAs at 77° K temperature

B. Pődör
Acta Physica Academiae Scientiarum Hungaricae 27 (1-4) 449 (1969)
https://doi.org/10.1007/BF03156766