Numéro
J. Phys. France
Volume 25, Numéro 1-2, janvier-février 1964
Page(s) 66 - 69
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01964002501-206600
J. Phys. France 25, 66-69 (1964)
DOI: 10.1051/jphys:01964002501-206600

Étude de certaines propriétés de couches de SiO2 sur support de silicium

Akos Revesz et Karl H. Zaininger

RCA Laboratories, Princeton New Jersey, U. S. A.


Abstract
Films of SiO2 on Si, produced by thermal oxidation in steam, by deposition from hydrofluosilicic acid, and by anodic oxidation in non-aqueous electrolytes, were examined by ellipsometry. The index of refraction was used to calculate the coefficient of compactness. The growth kinetics of the steam oxidation was examined. Anodic oxidation in a molten salt resulted in a composite film.


Résumé
Des couches de SiO2 sur support de Si ont été produites soit par oxydation theimique dans la vapeur d'eau, soit par dépôt à partir d'acide hydrofluosilicique, soit par oxydation anodique en électrolytes non aqueux. Elles ont été étudiées par ellipsométrie. L'indice de réfraction a été utilisé pour calculer le coefficient de remplissage. On a étudié la cinétique de croissance par oxydation dans la vapeur. L'oxydation anodique dans un sel fondu a donné un film composé.

PACS
7820C - Optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity).
8115 - Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy.

Key words
films -- refractive index -- silicon compounds