Numéro
J. Phys. France
Volume 25, Numéro 1-2, janvier-février 1964
Page(s) 134 - 137
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01964002501-2013400
J. Phys. France 25, 134-137 (1964)
DOI: 10.1051/jphys:01964002501-2013400

Epitaxial growth of gold on mica in an ultra-high vacuum

H.L. Hines

Northwestern University, Evanston, Illinois


Abstract
The effect of adsorbed gas on the growth of gold films on mica at epitaxial temperatures is investigated by comparing the growths on air exposed and vacuum cleaved mica surfaces. Evaporations at residual gas pressures of 3 x 10-8 mm Hg are employed to make films with optical thicknesses of 10 Å. Optical and electron transmission examinations show that adsorbed gas drastically effects the initial growth of the film.


Résumé
On a étudié l'effet de gaz adsorbés sur la croissance de couches d'or déposées sur mica aux températures épitaxiales en comparant les croissances sur des surfaces de mica exposées à l'air et clivées sous vide. Les couches d'une épaisseur de 10 A environ, sont obtenues sous un vide de 3 x 10-8 mm de mercure. L'étude des transmissions optique et électronique montre que le gaz adsorbé affecte fortement la croissance initiale du film.

PACS
8115K - Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase.

Key words
crystal growth -- films -- gold