Numéro
J. Phys. France
Volume 46, Numéro 7, juillet 1985
Page(s) 1255 - 1262
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:019850046070125500
J. Phys. France 46, 1255-1262 (1985)
DOI: 10.1051/jphys:019850046070125500

Fluage en cisaillement d'un smectique B

P. Oswald

Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France


Abstract
A creep experiment under shear parallel to the layers in the B phase of 40.8 (butyloxybenzilideneoctylaniline) is described. The creep rate varies in an exponential way with the applied stress. No elastic limit is observed A model of thermically activated glide of the basal dislocations allows us to explain the results. The model anticipates a large dissociation of these dislocations in the basal plane. The strong elastic anisotropy of the material allows us to explain the absence of an elastic limit in spite of the high density of mobile dislocations.


Résumé
Nous décrivons une expérience de fluage en cisaillement parallèle aux couches dans la phase B du 40.8 (butyloxybenzilidène-octylaniline). Nous trouvons que la vitesse de déformation varie de façon exponentielle avec la contrainte appliquée et n'observons aucune contrainte seuil d'écoulement. Un modèle de glissement thermiquement activé des dislocations basales permet d'interpréter nos résultats. Nous prévoyons une forte dissociation de ces dislocations dans le plan de base. La forte anisotropie élastique du matériau permet d'expliquer l'absence d'une limite d'élasticité malgré une forte densité de dislocations mobiles.

PACS
6130J - Defects in liquid crystals.
6172H - Indirect evidence of dislocations and other defects (resistivity, slip, creep, strains, internal friction, EPR, NMR, etc.).
6210 - Mechanical properties of liquids.

Key words
creep -- mechanical properties of liquids -- organic compounds -- slip -- smectic liquid crystals