J. Phys. France 45, 895-899 (1984)
DOI: 10.1051/jphys:01984004505089500

Anomaly of the electrical resistivity of polyvalent metal films with additions of Mn (and Fe)

D. Korn¹ et G. Zibold<sup>2

1</sup>  Fakultät für Physik der Universität, 7750 Konstanz, F.R.G.
²  Fachhochschule, 7980 Ravensburg, F.R.G.

Abstract
Polyvalent metal films with dissolved magnetic additions are produced by quench condensation onto a substrate held at 10 K. The films are subsequently annealed at higher temperature Ta. The electrical resistance is measured below T a. The alloys In + 1 at % Mn, Pb + 0.8 at % Mn and Pb + 2.4 at % Fe do not show a resistance minimum. The resistance of Sn + 0.2 at % Mn and of A1 + 1 at % and 2 at % Mn shows a minimum and a negative slope (resistance anomaly) at temperatures below the minimum. In SnMn the resistance minimum is due to Mn atoms and the presence of disorder. The resistance anomaly of AlMn is not a single impurity effect.

Résumé
Des films d'alliages de Mn et Fe dilués dans des métaux polyvalents sont déposés sur un substrat à 10 K. La résistivité électrique est mesurée au-dessous des différentes températures de recuit. Les alliages In + 1 at % Mn, Pb + 0,8 at % Mn et Pb + 2,4 at % Fe n'ont pas de minimum de résistance. La résistivité de Sn + 0,2 at % Mn et de Al + 1 at % Mn montre un minimum et une pente négative (anomalie de résistivité) au-dessous du minimum. Le minimum de la résistivité de SnMn est causé par les atomes Mn et par la présence de désordre. L'anomalie de la résistivité de AlMn n'est pas produite par les atomes Mn isolés.

PACS
7361A - Metal and metallic alloys.

Key words
aluminium alloys -- electrical conductivity of crystalline metals and alloys -- indium alloys -- iron alloys -- lead alloys -- manganese alloys -- metallic thin films -- tin alloys