J. Phys. France 44, 387-392 (1983)
DOI: 10.1051/jphys:01983004403038700

Effets du recuit sur les propriétés optiques du silicium amorphe hydrogéné

L. Chahed^{1, 2}, M.L. Thèye¹ et B. Bourdon<sup>3

1</sup>  Laboratoire d'Optique des Solides, ERA CNRS N° 462, Université P. et M. Curie, 4, place Jussieu, 75230 Paris, France
²  Present address: Département de Physique, Institut des Sciences Exactes, Université d'Oran-es-Senia, Algérie
³  CIT Alcatel Transmission, Laboratoire de Marcoussis, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France

Abstract
The changes during annealing of the optical properties of a-Si: H thin films prepared by glowdischarge on high-temperature substrate are investigated. The results are analyzed in relation with the variation of the hydrogen concentration determined in a previous work. They bring information on the mode of incorporation of hydrogen to the a-Si network, and on its effects on the density of electronic states.

Résumé
On étudie l'évolution au cours du recuit des propriétés optiques de couches minces de a-Si: H préparées par décomposition sous plasma sur support à haute température. Les résultats sont analysés en fonction de la variation de la concentration d'hydrogène déterminée dans un travail antérieur. Ils permettent de préciser la façon dont l'hydrogène est incorporé au réseau de a-Si et dont il affecte sa densité d'états électroniques.

PACS
7866J - Amorphous semiconductors; glasses.

Key words
amorphous semiconductors -- annealing -- electron energy states of amorphous solids -- electronic density of states -- elemental semiconductors -- hydrogen -- refractive index -- semiconductor thin films -- silicon -- visible and ultraviolet spectra of inorganic solids