J. Phys. France 43, 973-976 (1982)
DOI: 10.1051/jphys:01982004306097300

Resonant Raman scattering in Ga(As, P) mediated by (localized exciton-LO phonon) complex

N. Meskini^{1, 2}, M. Kanehisa¹, M. Balkanski¹ et M. Zouaghi<sup>1, 2

1</sup>  Laboratoire de Physique des Solides, associé au Centre National de la Recherche Scientifique, Université Pierre et Marie Curie, 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
²  Faculté des Sciences de Tunis, Département de Physique, Campus Universitaire, Belvédère, Tunis, Tunisie

Abstract
Resonance light scattering experiments in polar crystals at energies corresponding to Eex + nħωLO have suggested that dressed excitons are the relevant intermediate states. Configuration coordinate model is applied to calculate the resonance Raman spectrum (intensity of phonons lines as a function of incident frequency) of the mixed crystal GaAs 0.2P0.8 and compared with experimental results of Oueslati, Hirlimann and Balkanski (J. Physique 42 (1981) 1151-1156). This analysis gives coupling constants V1 and V2 of a localized exciton with the LO1 phonon and the LO2 phonon respectively : V1/ħωLO1 = 0.7 ± 0.2; V2/ ħωLO2 = 1.4 ± 0.3, and exciton energy E0 = 2.442 eV with its width γ = 0.030 eV.

Résumé
Dans les cristaux polaires, les expériences de diffusion résonnante de la lumière suggèrent que les excitons « dressés » sont les principaux états intermédiaires dans le processus de diffusion pour des énergies incidentes ħωi = Eex + nħωLO. Le spectre de résonance Raman (Intensité des Raies Raman en fonction de l'énergie incidente) du cristal mixte GaAs0,2P0,8 est calculé dans le cadre du modèle des coordonnées de configuration. La comparaison avec les résultats expérimentaux de Oueslati, Hirlimann et Balkanski (J. Physique 42 (1981) 1151-1156) donne les coefficients de couplage V1 et V2 de l'exciton localisé avec les phonons LO1 et LO2 respectivement : V1/ħω LO1 = 0,7 ± 0,2; V2/ħωLO2 = 1,4 ± 0,3, et l'énergie de l'exciton E0 = 2,442 eV ainsi que sa largeur γ = 0,030 eV.

PACS
6320D - Phonon states and bands, normal modes, and phonon dispersion.
7135 - Excitons and related phenomena.
7830F - III-V and II-VI semiconductors.

Key words
excitons -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- lattice phonons -- Raman spectra of inorganic solids