J. Phys. France 42, 1151-1156 (1981)
DOI: 10.1051/jphys:019810042080115100

Diffusion inélastique de la lumière à la résonance dans GaAs1-xP x

M. Oueslatti¹, C. Hirlimann² et M. Balkanski<sup>2

1</sup>  Faculté des Sciences de Tunis, Département de Physique, Campus Universitaire-Belvédère, Tunis, Tunisie
²  Université Pierre-et-Marie-Curie, Laboratoire de Physique des Solides , 4, place Jussieu, 75230 Paris, France

Abstract
Resonant Raman scattering has been studied in Ga(AsP) by varying the energy level through the sample temperature, while leaving the incident photon energy constant. The scattered intensity variation due to the normal mode of vibrations in the first order spectrum and in the first replica shows that résonance takes place when the energy of the scattered photons is in coincidence with the energy of the direct band gap.

Résumé
La diffusion résonnante de la lumière a été étudiée dans Ga(AsP), en maintenant fixe la longueur d'onde du laser excitateur et en déplaçant les niveaux d'énergie de l'alliage par la variation de la température appliquée. Les courbes de résonance pour les modes normaux du spectre du premier ordre et de la première réplique, montrent que la résonance des répliques a lieu lorsque l'énergie du photon diffusé est en coïncidence avec la largeur de la bande d'énergie interdite.

PACS
7830F - III-V and II-VI semiconductors.

Key words
energy gap -- gallium arsenide -- gallium compounds -- III V semiconductors -- Raman spectra of inorganic solids