Numéro |
J. Phys. France
Volume 42, Numéro 3, mars 1981
|
|
---|---|---|
Page(s) | 437 - 444 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:01981004203043700 |
DOI: 10.1051/jphys:01981004203043700
Structure électronique auto-cohérente d'une surface traitée en liaisons fortes
H. Dreysse et R. RiedingerEquipe de Physique des Surfaces, ISEA, 4, rue des Frères-Lumière, 68093 Mulhouse Cedex, France
Abstract
We develop the self-consistent band structure of a semi-infinite crystal in the tight-binding approximation. We discuss especially the eigenstates of the semi-infinite medium and we determine the electronic density distribution with a Green's function method. We apply the model to the computation of the electronic density distribution of simple cubic crystal with (100) surface, in the non-degenerate case. We discuss especially the dominant role of the dipolar potential. The variations of self-consistent électron charges in T.B. give only a very small contribution to the surface dipolar layer.
Résumé
Nous développons la structure de bandes auto-cohérente d'un cristal semi-infini dans l'approximation des liaisons fortes. Nous discutons notamment les états propres du milieu semi-infini, et déterminons le profil des densités électroniques par la méthode des fonctions de Green. Nous appliquons le modèle au calcul du profil de densité électronique d'un cristal cubique simple (100), dans le cas non dégénéré. Nous discutons notamment du rôle dominant du potentiel dipolaire. Les variations de charge des électrons en liaisons fortes donnent une contribution très faible à la couche dipolaire de surface.
7115A - Basis sets (LCAO, plane-wave, APW, etc.) and related methodology (scattering methods, ASA, linearized methods, etc.).
7320 - Electron states at surfaces and interfaces.
Key words
band structure -- Green's function methods -- surface electron states -- tight binding calculations