J. Phys. France 41, 305-311 (1980)
DOI: 10.1051/jphys:01980004103030500

Determination of certain trapping parameters in mercury sulphide (α-HgS) by Thermally Stimulated Conductivity

J.P. Leyris, H. Carlos et J.P. Aicardi

Laboratoire de Physique du Solide, Université de Perpignan, Avenue de Villeneuve, 66025 Perpignan, France

Abstract
In this article we present the results of our measurements on Thermally Stimulated Conductivity on mercury sulphide. These results enable us to put forward four T.S.C. peaks. We study two of them in detail. The first one, which appears at a temperature of 165 K, is explained as following a slow retrapping monomolecular process. From the different methods which can be applied to this case we are able to determine the level depth (E t = 300 meV), the density of traps (Nt = 2.55 x 1012 cm-3) and the capture cross section (s t = 1.8 × 10-19 cm2) . The second appears at 104 K. Existing theories do not enable us to obtain all its parameters. We can only deduce the level depth (Et = 120 meV).

Résumé
Nous présentons dans cet article les résultats de nos mesures de courants stimulés thermiquement sur le sulfure de mercure. Celles-ci nous ont permis de mettre en évidence quatre pics de T.S.C. Nous étudions plus particulièrement deux d'entre eux. Le premier, qui apparait à une température de 165 K, est expliqué comme obéissant à un processus monomoléculaire avec repiégeage lent. Les différentes méthodes applicables à ce cas permettent de déterminer la profondeur du niveau (Et = 300 meV), la densité de pièges (Nt = 2,55 × 1012 cm-3) et la section efficace de capture (st = 1,8 × 10-19 cm 2). Le second apparait à 104 K. Les théories existantes ne nous permettent pas d'obtenir tous ses paramètres. Nous n'en déduisons que la profondeur du niveau (Et = 120 meV).

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping.
7280E - III-V and II-VI semiconductors.

Key words
electron traps -- II VI semiconductors -- mercury compounds -- thermally stimulated currents