J. Phys. France 41, 1225-1230 (1980)
DOI: 10.1051/jphys:0198000410100122500

Structure de bande de la solution solide AgGa(SxSe 1-x)2 en κ = 0

V.L. Paniutin, B.E. Ponedelnikov, A.E. Rosenson et V.I. Tchijikov

Division de la Physique Théorique, Centre des Sciences et de la Technologie Nucléaires, BP 1017 Alger-Gare, Alger, Algérie

Abstract
We are presenting a systematic study of the band structure at κ = 0 for AgGa(SxSe1-x)2 by using the empirical pseudopotential model. The variation of the band gap for the cristals AgGaS2, AgGaSe2 as function of temperature and the influence of the anion displacement on the acoustic deformation potential are examined. The theoretical results agree closely with the experiment.

Résumé
Nous présentons une étude systématique de la structure de bande de la solution solide AgGa(SxSe1-x) 2 en κ = 0 par le modèle du pseudopotentiel empirique. La variation de la largeur de bande interdite des cristaux AgGaS2, AgGaSe 2 en fonction de la température et l'influence des déplacements des anions sur le potentiel de déformation acoustique sont également examinées. Les résultats théoriques coïncident d'une façon remarquable avec l'expérience.

PACS
7120N - Semiconductor compounds.

Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- gallium compounds -- pseudopotential methods -- silver compounds -- solid solutions -- ternary semiconductors