J. Phys. France 39, 1193-1197 (1978)
DOI: 10.1051/jphys:0197800390110119300

Calculation of surface quantum levels in tellurium inversion layers

J. Bouat¹ et J.C. Thuillier<sup>2

1</sup>  E.S.P.C.I., 10, rue Vauquelin, 75005 Paris, France
²  Faculté des Sciences Mirande, Université de Dijon

Abstract
The energies of surface quantum levels of inversion layers in [0001] planes at the surface of tellurium, calculated from Shubnikov de Haas measurements, are compared with theoretical values obtained with the assumption of a triangular surface potential well. In the experimental concentration range, results are explained by the existence of a single sub-band, separated in two levels due to the constitution in two sheets of the conduction band of tellurium.

Résumé
Les énergies des niveaux quantifiés dans les couches d'inversion sur des plans [0001] en surface du tellure, calculées à partir de mesures Shubnikov de Haas, sont comparées avec des valeurs théoriques obtenues avec l'hypothèse d'un puits de potentiel triangulaire en surface. Dans la gamme expérimentale de concentration, les résultats s'expliquent par l'existence d'une seule sousbande, séparée en deux niveaux du fait de la conformation en deux nappes de la bande de conduction du tellure.

PACS
7280C - Elemental semiconductors.
7325 - Surface conductivity and carrier phenomena.
7340N - Metal-nonmetal contacts.

Key words
conduction bands -- elemental semiconductors -- inversion layers -- magnetoresistance -- surface electron states -- surface potential -- tellurium