Effets de taille quantiques dans l'élastorésistance de couches minces de bismuth

Abstract
We have studied the elastoresistance of bismuth thin films by measuring the transverse gauge factor kT at 300 °K and 77 °K. The values of kT at 77 °K are essentially related to the variation of the carrier density during the deformation. The variations of kT with film thickness and deformation can be understood when the quantification of energy levels in the valence and conduction bands of bismuth is taken into account.

Résumé
Nous avons étudié l'élastorésistance de couches minces de bismuth par la mesure du coefficient de jauge transverse kT à 300 °K et 77 °K. Les valeurs obtenues à 77 °K sont essentiellement liées à une variation du nombre de porteurs lors de la déformation. Les variations de kT en fonction de l'épaisseur des couches et de leur déformation s'expliquent par l'influence de la quantification des niveaux d'énergie dans les bandes de valence et de conduction du bismuth.